设置完后，ViewtoUse栏中点击右击相应模块的仿真模式(一般
点击Browse，然后再根据不同的要求对电路进行
后仿真时候也可看到提取的N多RC寄生。对模块选着
性的进行后仿真处理！！！！
成后点击File>>>Save按钮。另外一种通过界面化操作。多列举两个理解一下：
27、说明mos一半工作在什么区。（凹凸的题目和面试）
29、写schematicnote（？），（凹凸的题目和面试）30、寄生效应
在ic设计中怎样加以克服和利用。因为全是微电子
物理，除非面试出题的是个老学究。UNIX当然也要大概会操作。（扬智电子笔试）
2、如何成为IC设计高手？如何提高自己的设计能力？自己的感受是，由于流片的投资更大，系统性更强，这里就斗胆跳过基本电子知识的方面，
首先，需要了解的是IC设计的基本流程。IC设计同半导体物理、通信或多媒
体系统设计之间的关系，弄清楚ASIC，窃以为这点对于培养兴趣，学习基本的设计知识，
很多都是经典的总结。EDA工具意义重大，能够了解到新的设计理念。是单纯从EDA的角度被带
入IC设计领域的，也是
通过EDA厂家的推广培训建立基本概念。对一些高难度的设计，如果你希望有较高的设计水平，经验积累的效率是有可能提高的。其中的许多细节是使你的设计成为产品时必需注意
的。有些可能是为了加速开关过程，通过访真细细观察这些细节，也会
有乐趣。尤其是项目组成员之间经常交流，
2、查文献资料是一个好方法。如果有
机会参加一些有很好设计背景的人做的培训，也会有较好的收
获。应当做几项检查：了解芯片生产厂的工艺,器
件模型参数的变化,并据此确定进行参数扫描仿真的范围。正确设置系统仿真的输入条件及负载模型。
4、另外，要重视同前端或系统的交流，作为初学者，除了通过设计文档和会议交流来理解
自己的设计任务规范，所谓设计技
巧，系统或前端的设计工程师，
5、重视同后端和加工线的交流：IC设计的复杂度太高，IC设计者还应该主动地同设计环节的上下游，工艺工程师之间进行主动沟通和学习。后端加工厂家往往能够为他们带来一些经典的基本理念，一些好的后端服务公司，
还能够给出混合信号设计方面十分有益的指导，加工
因此试验的机会十分宝贵，对IC设计的成功来说十分关键。DesignKit和体制的规范来保证成功之外，是一个IC设计者能否经受压力和享受成功十分关键的部
分。因此找机会更多地参与和理解测试，是一个IC设计者成长的必经之路。使得同行
之间的交流十分关键，对提高水
平也是十分有益的。还可以发现环境对于IC设计水平的
重要影响。产品的方向，很大程度上能够影响到一个
设计者能够达到的最高水平。
将是国内的设计者在一定的阶段会遇到的问题.芯片封装术语
背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。引脚可
超过200，封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁
平封装)小。引脚中心距为的360引脚BGA仅为31mm见方；而引
脚中心距为的304引脚QFP为40mm见方。该封装是美国Motorola公司开发的，今后在美国有可能在个人计算机中普及。BGA的引脚(凸
点)中心距为，现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚
的BGA。现在尚不清楚是否有效的外观检查
方法。由于焊接的中心距较大，只能通过
封装之一，美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装。引脚数从84到196左右(见QFP)。
4、C－(ceramic)表示陶瓷封装的记号。CDIP表示的是陶瓷DIP。
5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，DSP(数字信号处
理器)等电路。引脚中心距，在日本，
6、Cerquad表面贴装型封装之一，用于封装DSP等的
逻辑LSI电路。散热性比塑料QFP
好，但封装成本比塑料QFP高3～5
数从32到368。表面贴装型
封装之一，呈丁字形。此封装也称为QFJ、QFJ－G(见
QFJ)。是裸芯片贴装技术之一，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。是SOP的别称(见SOP)。现在已基本上不用。欧洲半导体厂家多用此名称。插装型封装之一，封装材料有塑料和陶瓷两种。应用
范围包括标准逻辑IC，微机电路等。引脚数
从6到64。有的把宽度为和的封装
简单地统称为DIP。用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip(见
14、DICP(dualtapecarrierpackage)双侧引脚带载封装。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。封装外形非常薄。但多数为定制品。
厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。按照EIAJ(日本电子机械工
17、flip-chip倒焊芯片。在LSI芯片的电极区制作好金
积基本上与芯片尺寸相同。但如果
基板的热膨胀系数与LSI芯片不同，从而影响连接的可
靠性。并使用热膨胀系数基本相同的基板材
BGA)。塑料QFP之一，以防止弯曲变形。从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L形状)。引脚中心距，
型封装，表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚，贴装采用与印刷基板碰焊的方法，
因为引脚中心距只有，所以封装本体可制作得不怎
么大，是大规模逻辑LSI用的封装。以多层陶瓷基材制作封装已经实
用化。指带窗口CLCC和带窗
25、LGA(landgridarray)触点陈列封装。装配时插入插座即可。应用于高速逻辑LSI电路。能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。由于引
线的阻抗小，但由于插座制作复杂，现在
处于芯片上方的一种结构，用引线缝合进行电
气连接。在相同大小的封
装中容纳的芯片达1mm左右宽度。指封装本体厚度为
28、L－QUAD陶瓷QFP之一。基导热率比氧化铝高7～8倍，封装的框架用氧化铝，从而抑制了成
本。在自然空冷条件下可容许W3的功率。并于1993年10月开始投入批量生产。将多块半导体裸芯片组装在一块布
线基板上的一种封装。MCM－C和MCM－D三大类。布线密度不怎么高，MCM－C是用厚膜技术形成多层布线，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。布
线密度高于MCM－L。以陶瓷(氧化铝或氮
化铝)或Si、Al作为基板的组件。但成本也
高。塑料SOP或SSOP的别称(见
标准对QFP进行的一种分类。
光电气工业公司于1993年获得特许开始生产。在开发初期多称为MSP。
部分LSI厂家采用的名称。插装型封装之一，封装基材基本上都采用多层陶瓷基板。多数为陶瓷PGA，成本较高。引脚数从64到447左右。封装基材可
用玻璃环氧树脂印刷基板代替。另外，(见表面贴装型
PGA)。指配有插座的陶瓷封装，在开发带有微机的设备时用于评价程序确认操作。将EPROM插
入插座进行调试。市场上不怎么流通。表面贴装型
封装之一。呈丁字形，美国德克萨
斯仪器公司首先在64k位DRAM和256kDRAM中采用，引脚中心距，J形
引脚不易变形，但焊接后的外观检查较为困难。以前，后者用陶瓷。已经无法分辨。日本电子机械工业会于1988年决定，把在四侧带有电极凸点的封装称为
为了防止封装本体断裂，部分半导体厂家采用的
装之一。向下呈I字。贴装与
印刷基板进行碰焊连接。贴装占有面积小于QFP。此外，引脚中心距，
45、QFJ(quadflatJ-leadedpackage)四侧J形引脚扁平封装。引脚从封装四个侧面引出，是日本电子机械工业会规定
的名称。材料有塑料和陶瓷两种。用于微机、门陈列、DRAM、ASSP、OTP等电路。陶瓷QFJ也称为CLCC、JLCC(见CLCC)。引脚数从32至84。表面贴装型封
装之一。QFN是日本电子机械工业会规定的名称。由于无引脚，高度比QFP低。
当印刷基板与封装之间产生应力时，因此电极触
点难于作到QFP的引脚那样多，材料有陶瓷和塑料两
种。电极触点中心距。电极触点中心距除外，这种封装也称为塑料LCC、PCLC、P－LCC等。表面贴装型封装之一，基材有陶瓷、金属和塑料三种。
塑料封装占绝大部分。多数情况为塑料QFP。不仅用于微处理器，而且也用于VTR信号处理音响信号处理等模拟LSI电路。中心距规
格中最多引脚数为304。
但现在日本电子机械工业会对QFP的外形规格进行了重新评价。而是根据封装本体厚度分为QFP(～厚)、LQFP(厚)
和TQFP(厚)三种。有的LSI厂家把引脚中心距为的QFP专
门称为收缩型QFP或SQFP、VQFP。至使名称稍有一些混乱。当引脚中心距小
于时，为了防止引脚变形，如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFP(见BQFP)；带树脂保护环覆盖引
脚前端的GQFP(见GQFP)；在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专
用夹具里就可进行测试的TPQFP(见TPQFP)。不少开发品和
高可靠品都封装在多层陶瓷QFP里。此外，
用的名称(见QFP、Cerquad)。部分半导体厂家采用的名称(见QFP)。TCP封装之一，是利用TAB技术的薄型封装(见TAB、
TCP)。日本电子机械工业
会于1993年4月对QTCP所制定的外形规格所用的名称(见TCP)。
54、QUIP(quadin-linepackage)四列引脚直插式封装。每隔一根交错向下弯曲成四列。当插入印刷基板时，因此可用于标准印刷线路板。日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采用了些种
封装。引脚数64。插装型封装之一，但引脚中心距()小于DIP()，引脚
数从14到90。材料有陶瓷和塑料两种。部分半导体厂家采用的
名称。欧洲半导体厂家多采用SIL这
个名称。只在印刷基板的
一个侧面附近配有电极的存贮器组件。标准SIMM有中
心距为的30电极和中心距为的72电极两种规格。至少有30～40％的DRAM都装配在SIMM
里。引脚从封装一个侧面引出，当装配到印刷基板上时封装呈侧立状。引脚数从2至23，封装的形状各异。60、SK－DIP(skinnydualin-linepackage)DIP
的一种。通常统称为DIP(见
DIP)。指宽度为，通常统称为DIP。偶而，6
封装之一。中心距。日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用了此封装。
6、SOJ(SmallOut-LineJ-LeadedPackage)J形引脚小外型封装。引脚从封装两侧引出向下呈J字形，通常为塑料制品，但绝大部分是DRAM。引脚中心距，6
委员会)标准对SOP所采用的名称(见SOP)。与通常的SOP相同。有意增添了NF(non-fin)标记。6
封装两侧引出呈海鸥翼状(L字形)。另外也叫SOL和
DFP。也广泛用于规模不太大的ASSP等电路。SOP是普及最广的表面贴装封装。引脚数从8～44。引脚中心距小于的SOP也称为
目前，在集成电路设计项目中，项目管理的基本流程包括为市场调研评估，
方案制定，代码设计，综合，总结等步骤。在项目分析并立项后，2）项目准备
对项目进行功能、性能、接口、方案、预期困难等方面的分析，）方案设计
在完成对项目的详细的需求分析后，并
以上两步均为项目的准备阶段。还需
要完成对项目实施时的项目规划书等指导性文档设计。开始进入到项目的实施阶段。
在实施阶段之初，组建设计团队，明
确管理规范，确定交流方式，确保项
目在实施中可以在同一个管理平台上透明和高效运作。也是在各层次的代码设计中
减少设计错误，事实上，文档设
计相当重要，其余40%的时间则用于实现具体的代
码设计、仿真与验证等。同时还应包括对所承担任务
的任务规划书设计，及任务的周报，流程如下所
在设计任务分配下达到设计工程师后，具体说明任务进展的哪个阶段将完成哪些事情，
并对预期出现的困难做出评估和提出解决措施等。经由项目经理审核通过后，在项目进展中，
可以对初期制定的任务规划书进行调整和维护，如有任务可能推延的情况出现（如任务进行时出现早期没
有预见到的困难），并及时反馈到项目经理处，一般来说，制定一份成熟详细的
模块设计类的规划书的约需1~2周时间。举例而言，假若制定一份MD5算法模块设计的可行
的规划书需要一天，制定成熟可行的规划，
电路设计说明书主要是对模块或体系电路的具体的实现过程的描述，电路设计说明书原则上需要达
到仅依据设计说明就可进行电路设计。是
一个公司内的重要的设计成果积累和设计参考文献。
在进行电路设计说明的同时，并
以此完成对所设计电路的测试验证的说明文档。具体的说明测试的目标，测试环境，激
励设计的注意事项等方面内容。可随时进
行项目组内的设计交流和沟通，
在文档设计工作完成后，并依据设计流程直
到实现最后的流片。项目总结必不可少,不另赘述。请描述一下你对集成电路的认识，（仕兰微面试题目）
2、FPGA和ASIC的概念，（未知）
答案：FPGA是可编程ASIC。它是面向专门用途的电路，
据一个用户的特定要求，短、交货周期供货的全定制，
4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种？（仕兰微面试题目）
5、描述你对集成电路设计流程的认识。（仕兰微面试题目）
7、IC设计前端到后端的流程和eda工具。（威盛VIA上海笔试试题）
10、写出asic前期设计的流程和相应的工具。写出相关的工具。生成hdl代码
逻辑综合工具可以将设计思想vhd代码转化成对应一定工艺手段的门级电路；将
中所没有考虑的门沿（gatesdelay）反标到生成的门级网表中,返回电路仿真阶
12、请简述一下设计后端的整个流程？（仕兰微面试题目）
13、是否接触过自动布局布线？请说出一两种工具软件。（仕兰微面试题目）
15、列举几种集成电路典型工艺。（仕兰微面试题目）
17、半导体工艺中，N阱的阱电位的连接有什么要
求？（仕兰微面试题目）
25、以interver为例,写出N阱CMOS的process流程,并画出剖面图。（凹凸的题目和面试）
28、画p-bulk的nmos截面图。越多越好。（未知）
31、太底层的MOS管物理特性感觉一般不大会作为笔试面试题，公式推导太罗索，IC设计的话需要熟悉的软件:
32、unix命令cp-r,rm,uname。这个可以多种途径完成。了解各个工艺以及各个班
次的时间。他们会很热心的帮助完成。根据他们的流片时间来制
定自己的流片计划。包括PDK、SpectreModel以及RuleDecks。或者从相应的合作单位进行沟通
统一。请务必要引起重视。好好的查看里面的Document以及
Userguide之类的，安装工艺库的过程会
根据具体设计要求做出一些选着。
来核实，对时间的安排可能会不合理。必须严格按照这个时间表执行。分析和确定模拟电路的详细的式样。确定各个单元模块的具
体实现电路形式，有正交VCO产生I/Q
信号还是通过/2分频器来实现I/Q信号，在具
体电路的选取过程中，从中选取了比较成熟
的，有时候可能会发现所确定的结
构很难或者根本不可能满足技术指标的要求，
设法满足要求。在比较重要的设计任务中，剩下的20%却需要花80％的时间来做。有时候会引错方向。是很有必要的。不是明智的办法。必先利其器”。在公司内部可以使用多种EDA工具
进行电路仿真。能够精通常用的一类或者几类就
行。知道什么样的电路适合用什么样的
仿真工具。HSPICE是一种最灵活方便的工具，后来被SYNOPSYS收购，业界使用
Hspice作为仿真软件的也挺多，
要求自己下载学习。如今实验室已经成功启动APS进行大规模的是芯
片整体验证仿真。越能体现出优势。
－UltraSim-Verilog：进行数模混合仿真的工具，实验室在使用中较多的用在数字模块的后仿验证。对于大规模的晶体管级的仿真是不错的选
－ADS：对于系统级的仿真，对于电路级的仿真，而且如今已经有一个RFDE环境，很方便的
进行使用。最好能够阅读一遍厂家提供的
Model库及其文件，
电路参数的选定及电路的仿真需要有良好的IC设计的基本知识。不断的积累。会偏离设计的初衷，参杂
浓度的改变等，所以设计的时候应具有一定的鲁棒性，确保芯片在工艺偏离的情况下，
对各种参数要求较严格的电路，以前章琦做过简单的蒙特
卡罗分析仿真方法的仿真，做芯片电路设计
的全面仿真。另外敏感性分析和温度分析也应
我们对工艺角Corner分析应至少包括：全部模型的SS，FF角。可以进一步细化，晶体管和其他的电阻和电容等的工艺角不同等。应使用组
就应用的温度而言对其进行温度范围的仿真，应该覆盖-20~100的温
度，温度应配合工艺角联
合进行仿真，SS工艺角的情况下芯片的性能。尤其是匹配的对管，如对管的尺寸
失配5%等，还有就是考虑电源电压的波动，仿真过程中应该应该考虑到足够的电压
总而言之，它确保芯片在工艺偏离的情况下，
四、模拟IC设计一些经验总结
、设计库的管理，养成一个好习惯。也方便于以后的师弟、师妹的学习理解。可以说它在模拟IC中到处使用，所以大家在抽空时间里面需要
对OPA基本设计理论，可以阅读参考书籍，有时间的话可以根据特定的应用，这样一方面掌握OPA以及模拟电路的基本设计方法，
、仿真软件的使用技巧。仿真只是一种验证手
段，设计过程中必须多思考、多交流。千万不要害怕迭代次数
较多。如LC-VCO的设计
中我们要考虑Phase-Nosie、中心频率、频率调谐范围、功耗、调谐曲线的Overlap、
Kvco等。使得最后达到设计要求。在电阻采用绝对值的时，
五、仿真工具配合仿真方法几点简单说明：【1】Ultrasim的简单使用说明：
如果在option没有设置,默认是MS模式,兼顾精度与速度。
公差容忍度设置:speed可以设置总的公差容忍度tol（tol也可以单独设置）,tol
包括电压、电流等所有的公差容忍度之和。
通常,如果精度要求不是很高,可以采用默认设置,而无需设置这一项。其余
PLL模块中既有高频模块VCO，还
有数字模块Digital,所以这是比较复杂的系统，往往
这样的系统仿真速度和精度个大问题。较高的精度，精度要求不高。仿真速度会很慢，
速度就会成为更大的问题。
2)设置各个模块的仿真模式以及仿真精度。vco2phase的仿真模式为a，第二个是以instances
可以在vco2phase一栏处右击来设置相应的仿真模式、以及仿真速度。
下面的设置是后仿真情况下给出的：(不同的仿真可以设置不同模式)Simulation
Name中选中spectre(只进行模拟仿真验证)，选中后点击OK，
在hierarchyeditor中，前仿真的话是选择schematic)。进入ADE仿真环境。而精度要求不是很高的电路来说，而对于高精度的设计则需要设置为moderate或
在仿真过程中根据电路规模(Device的多少)设置合理的仿真器

据了解，针对需要使用铜跳线工艺（Clip Bonding）的高功率半导体封装产线，客户需要购买Die Bonder（固晶机）、Clip Bonder以及真空炉设备，其中Die Bonder是整线设备的核心产品，技术难度较大，长期以来该市场都被ASMPT、Besi等厂商垄断，具备Clip Bonding工艺整线产品的厂商更是少之又少，整体市场基本被ASMPT垄断，且设备价格较高。

在此情况下，国内功率半导体市场亟需国产封装设备，让设备依赖进口的情况得到彻底改善。普莱信基于自身的Die Bonder设备优势和客户需求，开发了Clip Bonder设备和真空炉，成为市场上少数能提供车规级Clip Bond整线产品的封装设备。

在功率器件及第三代半导体封装领域，普莱信将推出Clip Bonder高速夹焊设备，集成公司的固晶机和真空炉，为功率器件封装客户提供固晶、夹焊至回焊的整线解决方案。第三代半导体采用模块组装技术，公司正在和H公司联手开发相关产品，成熟后将推向市场。在先进封装领域，普莱信的IC直线式固晶机已广泛应用于SiP系统级封装领域，将陆续推出适用于Flip Chip、Fan-out等各类先进封装工艺的设备，持续完善公司产品线。目前，普莱信已经拥有半导体工艺技术、高速高精运动控制平台技术、直线电机及驱动技术、全面的建模和算法能力等多项核心技术，为公司在国内外市场竞争建立了极深的技术壁垒。

昆山拓谷电子有限公司成立于2015年，拥有六年的生产经验，生产制造，真空回流焊，半导体封装隧道炉，真空钎焊炉，真空氮气回流焊，真空氮氢气炉和氮气回流焊等产品的高新技术企业、生产与销售的企业。且可以提供智能制造系统的规划设计、系统集成、软件开发、设备定制、电控系统开发、现场安装调试、客户培训和售后服务等一系列业务。广泛应用于半导体、航天、军工、汽车零部件、电子、医疗器械等行业。为国内半导体、第三代半导体高压大功率IGBT模块、5G模块、新能源汽车控制模块等企业提供高端半导体国产替代设备

针对当前工业4.0的推进，以及国家强国战略“中国智造2025”实施，我们在传统设备层、控制层的基础上，已经形成信息层(ERP)、管执行理层(MES)、控制层、设备层的全方位智能工厂垂直整合能力。生产智造执行系统MES层是智能工厂承上启下的关键，通过MES系统我们可以增强车间生产管理的透明线、实时性、有效性,并为企业决策提供大数据收集与分析，为客户形成新的价值链。智能工厂是我们奋斗前行的目标。

衷心感谢各界同仁与本公司竭诚合作！