介绍MOSFET的开关特性、驱动要求,并讲述了利用  (本文共2页)

研究了掺Al或Ag微粉的聚丙烯（PE）基和聚二氯乙烯（PVDF）基复合材料的导电开关特性，发现在某一电场阈值（对应开...  (本文共5页)

Carbide,SiC)器件具有耐压高、开关速度快、工作频率高、导通电阻小以及耐高温等特点,在高压大功率场合有广阔的应用前景。但SiC的应用面临着高频开关瞬态电压、电流过冲和振铃以及短路保护等难题。因此本文针对SiC器件的特性和驱动保护技术开展研究。首先,研究SiC器件的静态特性参数,探究温度对饱和压降、阈值电压及导通电阻的影响。测试其开关特性参数,分析寄生电感参数对其开关特性的影响,并采用一种基于垂直结构和磁场抵消的布局方式来减小回路寄生电感、抑制关断过电压。实验测试大功率SiC MOSFET硬开通短路工作状态,分析故障机理,探究短路耐受能力。然后,分析当前应用最多的去饱和检测方法在SiC短路保护中存在的问题。本文采用基于PCB罗氏线圈电流检测的短路保护方案。分析罗氏线圈电流测量的工作原理及微分和自积分两种工作状态。介绍PCB罗氏线圈的设计方法并分析回绕线匝的抗干扰性能。设计所使用的PCB罗氏线圈探头参...  (本文共89页)  |

随着电力电子装置朝着高效、便携、轻量化的趋势发展,对功率半导体器件的要求也越来越高,而硅(Si)材料的半导体器件也基本发展到其理论极限,已经无法满足电力电子技术进一步发展的需求。在这样的大背景下,越来越多的科研工作者们开始重视以氮化镓(GaN)器件为代表的第三代宽禁带半导体。目前GaN器件的生产技术已经趋于成熟,但在其应用领域还有一些问题需要去解决。本文就GaN器件应用到开关电源领域中所遇到的问题展开分析,将GaN器件应用到开关电源中去,并实现高功率密度的要求。首先简要地介绍了GaN器件的分类以及增强型GaN晶体管(GaN HEMT)的等效模型及其结构,分析了GaN HEMT的工作原理以及开关特性,并对其进行损耗分析和开关特性仿真。由于GaN HEMT具有非常高的开关速度以及极低的导通电阻,会导致了GaN HEMT在开关过程中具有很大的电压变化率(dv/dt)和电流变化率(di/dt),引发GaN HEMT在开关过程中波形产生尖...  (本文共71页)  |

忆阻器作为新兴的基础信息器件,在非易失性高密度存储、类脑神经形态计算、可重构逻辑运算等领域具有广泛的应用前景,受到学术界和工业界广泛关注。通过调控忆阻器中金属导电通道的稳定性,可以实现非易失性记忆开关和易失性阈值开关行为,前者可以作为嵌入式存储器、非易失逻辑功能的物理基础,而后者则可应用于构建选通管、人工神经元、随机数产生器等。本文系统研究了Cu导电通道型忆阻器的非易失性记忆开关和易失性阈值开关特性及其调控。研制出高性能Cu/GeTe/TiN非易失器件,通过采用Cu_xTe_(1-x)金属合金电极和Ta金属阻挡层,成功实现了阈值开关特性,探索了两类开关特性的共性物理机制,并探讨了其应用前景。主要研究结果概述如下:(1)记忆开关方面,采用薄膜沉积、光刻、刻蚀等微纳工艺制备了纳米尺寸的通孔型Cu/GeTe/TiN忆阻器件,器件具有开关速度快(10~4次)和良好保持特性(10~4

浙江鲁优电气有限公司坐落在素有“中国电器之都”之称的乐清市柳市镇，是一家集工业设计、研发、生产、销售、售后服务为一体的高新科技企业。公司成立以来一直本着“敢于创新、质量为先”的企业精神，致力于限流式电气防火保护器-能耗监测-智能照明-故障电弧保护器，能耗监测系统平台搭建，提供能耗监测系统一站式解决方案，产品包括智能照明控制系统、谐波保护器、多功能电力仪表、数显电力仪表、电动机保护器、电子限荷自动控制器、微机保护装置、微机消谐装置、开关柜智能操控装置、开关状态指示仪、电气接点在线测温、温湿度控制器、开关柜智能除湿装置、电流互感器过电压保护器、导轨式电能表、电子式电能表、电气火灾监控装置、消防电源监控装置、故障电弧探测器、信号隔离器...