《电介质材料的介电常数及损耗的频率特性》由会员分享，可在线阅读，更多相关《电介质材料的介电常数及损耗的频率特性（10页珍藏版）》请在装配图网上搜索。

1、电介质材料的介电常数及损耗电介质材料的介电常数及损耗的频率特性的频率特性 一实验目的一实验目的二实验仪器二实验仪器三实验原理三实验原理四操作步骤四操作步骤五数据处理五数据处理一实验目的一实验目的1熟练掌握MODEL TH2816型宽频LCR数字电桥的使用；2测量几种介质材料的介电常数和介质损耗角正切（tan）与频率的关系，从而了解它们的、tan 的频率特性。二实验仪器二实验仪器TH2816型宽频LCR数字电桥、样品 三实验原理三实验原理介电常数，又称电容率，是电位移D与电场强度E之比 = D/E ，其单位为F/m ，真空的介电常数 F/m ，而相对介电常数为同一尺寸的电容器中充入电介质时的电容

2、和不充入电介质时真空下的电容之比。介电常数小的电介质，其分子为非极性或弱极性结构，介电常数大的电介质，其分子为极性或强极性结构。在交变电场作用下，电介质的介电常数为复数，复介电常数的实部与上述介电常数的意义是一致的，而虚部表示损耗。介质的介电损耗是指由于导电或交变电场中极化弛豫过程在电介质中引起的功率损耗。这一功率损耗是通过热耗散把电场的电能消耗掉的结果。 电介质的介电损耗一般用损耗角正切tan 表示，并定义为：。在直流电场下，电介质内只有泄漏电流所产生的电导损耗；但在交变电场中，除电导损耗外还存在着各种形式的极化所产生的损耗，即松弛极化损耗。此时，复介电常数的虚部与实部的比值，即为介电损耗值

3、，即，又称介质损耗因数。是电介质的电位移D由于极化弛豫而落后电场E的一个相位角。由于介质的各种极化机构在不同的频率范围有不同的响应和不同频率下产生不同的电导率，所以介质的介电常数和介电损耗都是随频率的变化而变化。如不考虑边缘效应，平板试样的电容量可用下式表示： tan介质损耗的功率（即有功功率）无功功率itan/0( )rsCFd (1)式中 s 电极的面积，米2；d 介质的厚度，米；r 介质材料的相对介电常数。 将0的值代入（1）式，得到：100()3.6rsCpFd 由此得 3.6100rdCs如果电极呈圆形，当其直径为D米时，介电常数的计算公式如下： 214.4100rdCD其所用单位d

4、 米， pF , D 米。四操作步骤四操作步骤（1）接通电源，电桥开始自检。自检结束后，面板显示：显示A：C（电容） 显示B：D（即损耗tan） 显示C：F（显示：1.00kHz）速度：慢（40ms A/D积分时间） 读数：直读 等效：串联 偏置：OFF方式：连续 量程：自动 打印：OFF（2）使用按键显示A、显示B在LCR上选择测试参数；如果需要测量的是电容C和损耗tan，则不需要另外选择。等待仪器稳定20 分钟后，对仪器进行清 “0”； （3）将被测圆形陶瓷片接在测试夹具上，并将样品由测试架引出的两极接入LCR数字电桥。（4）选择合适的等效方式：按“等效”键即可选择串、并联或自动等效方式（即将被测器件看作是串联或并联的等效方式），当选择“自动”时，仪器将自动选择。（5）选择不同的测量频率，测出不同频率下的电容C和损耗tg 的值。（可设置的频率范围为：20 Hz 150 kHz）（6）再分别将内偏调到5V, 10V重复测量。五数据处理五数据处理由测量数据，进行转换:C；用origin软件绘图，绘出 f和 tg f关系曲线；对所得曲线进行分析：分析，tan与频率变化的原因，并分析产生误差的可能性；比较不同偏压下的 , tg 与频率关系曲线的异同，并分析原因。

请问一下大家，我用debye模型算出来金的介电常数的实部和虚部是几千或是几百呢（随频率的改变而改变，频率范围在150THz-750 THz），这样子对吗？
还有实部和虚部都是一个负数，这样子对吗？
跪求大虾们的指点！谢谢！

肯定不对呀，我也做介电常数的，交流一下

那在debye模型下 金的介电常数的实部和虚部都应该是负数吗？应该大致在多少左右

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