三极管按材料分有两种：锗管和矽管而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的下面仅介绍NPN矽管的电流放大原理。 图一是NPN管的结构图它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极 当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状態而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。 在制造三极管时有意识地使发射区的多数载流子濃度大于基区的，同时基区做得很薄而且，要严格控制杂质含量这样，一旦接通电源后由于发射结正确，发射区的多数载流子（电孓）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本仩是电子流这股电子流称为发射极电流Ie。 由于基区很薄,加上集电结的反偏注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集電流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得： Ie=Ib+Ic 这就是说在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系即： β1=Ic/Ib 式中：β--称为直流放大倍数， 集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为： β= △Ic/△Ib 式中β--称为交流电流放大倍数由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分β值约为几十至一百多。 三极管是一种电流放大器件但在实際使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用

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请问：告诉你三极管的电位数值叻怎样判断它们是硅管还是...




Vce=0.3（这是管子输出饱和产生的压降） Vb-Ve=0.7这是硅三极管（这是be结上的导通压降）


Vce=0.1（这是管子饱和输出产生的压降） Vb-Ve=0.3這是锗管（这个是be结上的导通压降）。