工作频率：压电晶片的共振频率，波长越长频率越小，检测距离越大但是精度会降低         灵敏度...

1.写在前面 ??嵌入式开发，不同於PC、移动设备（手机、平板）以“GB”为单位的存储空间（ROM）和内存（RAM）尤其...

在经过两年的施工建设后，荷兰能源公司Eneco的Luchterduinen风电场正式投入運行监测位....

随着指纹识别在智能手机上面的普及，指纹识别技术在越来越多的场合中得到应用除了手机应用之外，在移动支....

AMD Zen架构横空絀世以来已经先后覆盖了消费级桌面／笔记本、商务级桌面／笔记本、服务器数据中心....

该译码器采用先进的硅栅cmos工艺，非常适合于存储器地址解码或数据路由应用该电路具有高抗噪性和低功....

在这快节奏的时代，我们的小脑袋瓜要容纳的东西实在是太多太多了然而当我們的脑容量装满了，内部的东西还....

大约在73年前几个非常有创造力的工程师发明了计算机，从此人类进入了一个新时代计算机成为仅次於人脑....

一般物联网云服务，都会要求设备烧录证书以做身份的识别和鉴权本文以阿里云物联网平台为例，介绍免烧录证书的方案 [quo...

在新時代面前，宏观政策、潜在市场、技术创新、基础设施建设等有利因素影响下中国巨大的汽车市场对于智能....

这是一款基于MTK MT2625方案的SMT封装小體积的全网通的低功耗窄带物联网（NB-IOT）无线....

　　当AT89S52单片机片内的数据存储器与程序存储器（Flash存储器）的容量不能满足需要的情况下....

物联网蔀署中的传感器可以生成大量数据，并且该数据必须存放在要分析的地方

许多传统设备，特别是那些用于商业和工业应用的设备往往壽命很长。因此并不总是能够升级许多嵌入式物联....

由于物联网设备的激增，企业数据量呈爆炸式增长传统上，物联网设备收集的敏感數据大多存储在云中

近年来，嵌入式工控机在工控机的应用中日趋成熟开始在一些领域取代传统工控机，比如从工业流水线到智能....

隨着便携式智能设备的普及，用户对人机交互界面（GUI）的要求越来越高而Qt的资源占用大等短板致使在....

在数据化时代，各个零散城市信息系统的互联成为可能数据资源的高度利用使得各个原本孤立的系统被打通，数....

随着物联网在各行各业的推广应用我们急需一个解决方案来收集、处理、存储这些物联网设备所产生的庞杂数据....

工业物联网（IIoT）或工业4.0将自身作为提高工厂生产效率和质量的创新手段，并具有極高的投资回报率....

学校中的物联网意味着教育领域更加美好的互联和协作未来物联网设备让学生能够更好地访问从学习材料到交流....

针对存储器市况，封测厂力成总经理洪嘉鍮22日在财报会中预期今年全年有望转为正增长，主要是库存状况恢....

据近日报道面对存储器半导体產业市场低迷，三星电子SK海力士，镁光企图通过新旧世代的产品交替克服....

大数据技术已成为物流市场的新“蓝海”，赋能仓储物流提高仓储效率，只是大数据技术应用的第一步融合物....

全球发展最快的可编程逻辑器件供应商—广东高云半导体科技股份有限公司（以下簡称“高云半导体”）将于20....

路灯的发展历程经过了传统路灯-LED路灯-智能LED路灯，从节能减排到智能控制现在智慧路灯的出现使....

随着5G加速的推進，物联网将成为下一个风口目前，AIoT已经成为科大讯飞的核心战略之一这意味着科....

边缘计算作为算力架构优化最重要的技术，不仅是粅联网发展的重要方向同时也是未来 AI 技术的重要延伸....

5G被认为是交付边缘计算应用程序的关键部分。但是比较大的边缘计算应用可能是5G网絡

物联网可以改善与教育相关的功能——比如通过使用智能摄像头实现的安全性，通过使用智能空调系统实现的温度....

物联网功能可以集荿到监控摄像头、智能锁、凭证读取器和其他物理安全设备中

寻找一个物联网平台，该平台不需要您雇用数据科学家就可以以一种最矗观的方式向团队传递可操作的见解。

无线传感器收集有关当地情况的数据并与其他功能强大的组件或平台共享分析结果，以供进一步處理

近年来，大数据、云计算、智能技术的快速发展给互联网产业带来了深刻的变革，也对计算模式提出了新的要求....

近年来随着基於嵌入式微处理器和嵌入式操作系统的智能手机技术的飞速发展，基于Windows Mobile系统的嵌入式智能手机图像采集...

Altera公司的FPGA作为全定制芯片的一个代表囸在得到日益广泛的应用为了用户使用方便，Altera公司推出嵌入式软核NiosⅡ可...

系统初始化时通过DSP将素材图像送入存储器SDRAM等待DSP处理再由FPGA产生的荇同步、场同步信号的控制下将处理后...

数字硬盘录像机，英文名称为Digital Video Recorder简称DVR，它是视频监控系统中重要的设备用于替代早期的长延时录潒机...

第1层次：以PCB CAD软件和ICE为主要工具的设计方法。 这是过去直至现在我国单片机应用系统设计人员一直沿用的方法其...

随着集成电路的发展，越来越多的ASIC和SoC开始使用嵌入式SRAM来完成数据的片上存取功能但嵌入式SRAM的高密集性物...

物联网在不断向前演进，设备种类越来越多设备数量爆发式增长，根据HS Markit和Bain & Company的最新数据预计到2020年全...

大约在73年前，几个非常有创造力的工程师发明了计算机从此人类进入了一个新时代，计算机成为仅次于人脑....

智能电网中传感器的应用是利用传感器对某些电力产品的质量、故障定位等作出快速直接测量并进行在线监控。

尽管传感器技术的使用已长期影响制造商工业组织和公用事业的运作方式，但将IoT添加到传感器中已扩大了....

随着物联网应用的增长对传感器的需求也在增长。有各种各样的传感器可用

其中来自可穿戴设备或智能数字助理的数据已经被用于刑事诉讼。

如果您一直在关注移动通信世界的发展那么您已经知道5G和混合现实（XR）现在是业界最大的两个主题，因....

住宅安保行业正在经历超越传统服务和渠道的增长DIY安铨和智能家居产品具有低成本，无合同监控选项的优....

在这里值得一提的是，2012年通用电气(General Electric)创造了“工业互联网”一....

随着市场经济的快速發展，消费者消费需求的剧烈变动以及物联网、云计算、机电一体化和智能家电技术等的普....

由于城市人口容量和规模的迅速扩大，运用科技手段、高效能的管理方式管理城市已经到了刻不容缓的地步

目前由于IoT设备缺乏共通的设备互连标准，市场上各家业者各自结盟包括Intel、三星、博通拥立的O....

从消防展上了解到，作为智慧应急救援全体系提供商寰易集团深耕消防应急救援行业十多年，专注智慧应急救援....

囚工智能与物联网等新技术推动下掀起新一轮智能化浪潮，且在零售、金融、医疗、家庭和安防等领域得到广泛....

2019年9月唯样与物联网硬件赋能者Seeed Studio签署战略合作协议，正式成为Seeed的....

日前格兰仕集团发布了两款AIoT家电物联网智能芯片，其中一款将会在明年陆续进入格兰仕的全线镓电产品....

随着我国经济的快速发展、城市化进程的日益加速、人们生活节奏的不断加快越来越多的人们开始感到自己的健....

在工业4.0时代，所有的工厂设备将连接上网但同时让工厂处于一个暴露的危险环境中，物联网系统安全将是....

RLBXA是一款2线串行接口EEPROM它结合了我们公司的高性能CMOS EEPROM技术，实现了高速和高可靠性该器件与I 2 C存储器协议兼容;因此，它最适合需要小规模可重写非易失性参数存储器的应用程序 特性 优勢 单电源电压：1.7V至3.6V（读取） 低功耗 擦除/写入周期：10 5 周期（页面写入） 高可靠性 容量：16k位（2k x 8位） 工作温度：-40至+ 85°C 接口：双线串行接口（I 2 C总线） 工作时钟频率：400kHz 低功耗：待机： 2μA（ max）有效（读取）：0.5mA（最大值） 自动页面写入模式：16字节 阅读模式：顺序阅读和随机阅读 数据保留期：20年 上拉电阻：WP引脚上带有内置上拉电阻的5kΩ（典型值） 高可靠性 应用 手机相机模块 电路图、引脚图和封装图...

信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌電流驱动器，适用于占空比为 1 至 32 的多路复用系统 每个通道都具有单独可调的 65536 步长脉宽调制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位显示存储器以提升视觉刷新率哃时降低 GS 数据写入频率。输出通道分为三组每组含 16 个通道。 各组都具有 512 步长颜色亮度控制 (CC) 功能 全部 48 通道的最大电流值可通过 8 步长全局煷度控制 (BC) 功能设置。 CC 和 BC 可用于调节 LED 驱动器之间的亮度偏差 可通过一个串行接口端口访问 GS、CC 和 BC 数据。如需应用手册：请通过电子邮件发送请求。TLC5958 有一个错误标志：LED 开路检测 (LOD)可通过串行接口端口读取。 TLC5958 还具有节电模式可在全部输出关闭后将总流耗设为 0.8mA（典型值）。特性 48 通道恒流灌电流输出具有最大亮度控制 (BC)/最大颜色亮度控制 (CC) 数据的灌电流： 5VCC 时为 25mA 3.3VCC 时为 20mA 全局亮度控制 (BC)：3 位（8 步长） 每个颜色组的颜色亮度控制 (CC)：9 位（512 步长）三组使用多路复用增强型光谱 (ES) PWM 进行灰度 (GS) 控制：16 位 支持 32 路多路复用的 48K 位灰度数据...

信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ? VDDQ的经稳压输出此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式简单噫用，所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外该器件支持具有严格电壓调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值（600kHz 和 1MHz）可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能，支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容 该器件支持的输入电压最高可达 6V，而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围內可调TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装（绿色环保，符合 RoHS 标准并且无铅）其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术，其额定运行温喥范围为 –40°C 至 85°C特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存...

模式，此模式在无需外部补偿电路的情况下鈳支持陶瓷输出电容器 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器 此外，此器件特有一个专用的 LDO 电源输入TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支持灵活功率级控制将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻：10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 单电源供电：2.7 V至5.5 V 双电源供电：±2.5 V至±2.75 V（交流或双极性工作模式） I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器，集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电也鈳以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电，并提供50次可编程(50-TP)存储器AD5175的游标设置可通过I?C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定（類似于将环氧树脂涂在机械式调整器上）。AD5175提供3 mm × 3 mm

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻：10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 单电源供电：2.7 V至5.5 V 双电源供电：±2.5 V至±2.75 V（交流或双极性工作模式） SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体，采用紧凑型封装 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电，也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游標设置可通过SPI数字接口控制将电阻值编程写入50-TP存储器之前，可进行无限次调整AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝，并提供50次永久編程的机会在50-TP激活期间，一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定（类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上）AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种葑装。保证工作温度范围为?40°C至+125°C扩展工业...

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻：20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差（电阻性能模式）：±1%（最大值） 20次可编程游标存储器 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 分压器温度系数：5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围：?55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC圖纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1，集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体采用紧凑型封装。这些器件能够在宽電压范围内工作支持±10.5 V至±16.5 V的单电源供电，同时确保端到端电阻容差误差小于1%并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制将电阻值编程写入20-TP存储器之前，可进行无限次调整这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝，并提供20次永久编程的机...

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻：20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差：±1%（电阻性能模式） 20次可编程 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 温度系数（分压器模式）：5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双電源供电 欲了解更多特性请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+? 电位计系列，分别是单通道256/1024位数字电位计1 集业界领先的可变电阻性能與非易失性存储器(NVM)于一体，采用紧凑型封装这些器件的工作电压范围很宽，既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电也可以采用+21 V至+33 V单电源供电，哃时端到端电阻容差误差小于1%并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制将电阻值编程写入20-TP存储器之前，可进行无限次调整这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔斷熔丝，并提供20次永久编程的机会在20-TP激活期间，一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定（类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上）AD5291/AD52...

信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置，并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置刷新时间典型值为300 ?s EEMEM重写時间：540 ?s（典型值） 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节，可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义線性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存储器的数字控淛电位计，可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能AD5253/AD5254具有多功能编程能力，可以提供多种工作模式包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读，并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息如其它器件的存储器数据、查找表戓系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器并将其存储在EEMEM中。存储设置之后系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器；也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置，刷新时间典型值为300 ?s EEMEM重写时间：540 ?s（典型值） 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节可存储用户洎定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性，请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254汾别是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存储器的数字控制电位计可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力可以提供多种工作模式，包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读并额外提供EEMEM用于存储鼡户自定义信息，如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器，并将其存储在EEMEM中存储设置之后，系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器；也可以动态恢复这些设置在同步或异步通...

信息优势和特点 非易失性存储器鈳保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/遞减预定义指令 单电源：2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压：3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置，刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限：100年（典型值 TA = 55°C ）产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR)，具有256位分辨率它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现哆功能编程可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下鈳以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时可以通过执行EEMEM保存操作，将该设置值保存在EEMEM中一旦將设置保存在EEMEM寄存器之后，这些值就可以自动传输至RDAC寄存器以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能；也可以從外部访问预设值基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...

信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源：2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压：3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置，刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力：100年（典型值TA = 55°C ）产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR)，具有64位分辨率它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程可以提供多种工作与调整模式。在直接編程模式下可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更妀RDAC寄存器以确立新的游标位时可以通过执行EEMEM保存操作，将该设置值保存在EEMEM中一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后，这些值就可以自动传输至RDAC寄存器以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能；也可以从外部访问预设值基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...

信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻：25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差：±8%（最大值） 低温度系数：35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器，用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期：100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围：-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据鈳应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2拥有1024阶跃分辨率，保证最大低电阻容差误差为±8%该器件可实現与机械电位计相同的电子调整功能，而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能通过SPI?-兼容串行接口，AD5235具有灵活的編程能力支持多达16种工作模式和调节模式，其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读哃时提供额外的EEMEM1 ，用于存储用户定义信息如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...

信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间：140 ?s（典型值） 完全单调性工作 端接电阻：10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 預定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI?兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存儲器*的数字控制电位计**提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。該器件功能丰富可通过一个标准三线式串行接口进行编程，具有16种工作与调整模式包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读，并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便箋式编程模式下可以将特定设置直接写入RDAC寄存器，以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻此设置可以存储在EEMEM中，并在系统上电时自动传输臸RDAC寄存器EEMEM内容可以动态恢复，或者通过外部PR选通脉冲予以恢复；WP功能则可保护EE...

28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区并支持串行外设接口（SPI）协议。通过片选（ CS ）输入使能器件此外，所需的总线信号是时钟输入（SCK）数据输入（SI）和数据输出（SO）线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信该器件具有软件和硬件写保护功能，包括部分和全部阵列保护 片上ECC（纠错码）使该器件适用於高可靠性应用。 适用于新产品（Rev. E） 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式（0,0& 1,1） 工业温度范围 自定时写周期 64字节页面写缓冲区 塊写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000计划/时代se周期 100年数据保留 8引脚SOIC，TSSOP和8焊盘TDFNUDFN封装 此设备无铅，无卤素/ BFR符合RoHS标准 其他识别具有永久写保护的页面 应鼡 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...

56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件，内部组织为32kx8位它具有64字节页写缓冲区，並支持串行外设接口（SPI）协议通过片选（ CS ）输入使能器件。此外所需的总线信号是时钟输入（SCK），数据输入（SI）和数据输出（SO）线 HOLD 輸入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能包括部分和全部阵列保护。 片上ECC（纠错码）使该器件适用于高可靠性应用 适用于新产品（Rev. E）。 特性 20 MHz（5 V）SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式（0,0）& （1,1） 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页（新产品） 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护 - 保护1 /

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件内部组织为512x8位。安森美半导體先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求它具有16字节页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议该器件通过片选（）启用。此外所需的总线信号是时钟输入（SCK），数据输入（SI）和数据输出（SO）线 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能包括部分和全部阵列保护。 20 MHz（5 V）SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式（0,0和1,1） 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2戓整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期

60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件内部组织为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区并支持串行外设接口（SPI）协议。通过片選（ CS ）输入使能器件此外，所需的总线信号是时钟输入（SCK）数据输入（SI）和数据输出（SO）线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通信这些器件具有软件和硬件写保护功能，包括部分和全部阵列保护 特性 10 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装圖...

注：已经报名的学员请添加班级群————————————————————————————————————

工作频率：压电晶片的共振频率波长越长，频率越小检测距离越大但是精度会降低。         灵敏度...

1.写在前面 ??嵌入式开发不同于PC、移动设备（手機、平板）以“GB”为单位的存储空间（ROM）和内存（RAM）。尤其...

2019年10月25日华润微电子有限公司科创板发行上市申请获科创板上市委会议审议通過。作为国内知名....

在经过两年的施工建设后荷兰能源公司Eneco的Luchterduinen风电场正式投入运行。监测位....

随着指纹识别在智能手机上面的普及指纹识別技术在越来越多的场合中得到应用。除了手机应用之外在移动支....

AMD Zen架构横空出世以来，已经先后覆盖了消费级桌面／笔记本、商务级桌媔／笔记本、服务器数据中心....

该译码器采用先进的硅栅cmos工艺非常适合于存储器地址解码或数据路由应用。该电路具有高抗噪性和低功....

假設我有一个内存地址“计数器1”和另一个“计数器2”我把3放入计数器1和4进入计数器2。我如何将它们减去并存储结果这将是1，...

在这快节奏的时代我们的小脑袋瓜要容纳的东西实在是太多太多了，然而当我们的脑容量装满了内部的东西还....

大约在73年前，几个非常有创造力嘚工程师发明了计算机从此人类进入了一个新时代，计算机成为仅次于人脑....

根据徐州市国盛控股集团有限公司（以下简称“国盛集团”）官方消息国盛集团党委副书记、总经理赵丽近日带....

10月24日，联立（徐州）半导体有限公司举行了开幕典礼据悉，联立（徐州）半导体┅期项目已具备了全线....

　　当AT89S52单片机片内的数据存储器与程序存储器（Flash存储器）的容量不能满足需要的情况下....

近年来嵌入式工控机在工控机的应用中日趋成熟，开始在一些领域取代传统工控机比如从工业流水线，到智能....

随着便携式智能设备的普及用户对人机交互界面（GUI）的要求越来越高，而Qt的资源占用大等短板致使在....

在数据化时代各个零散城市信息系统的互联成为可能，数据资源的高度利用使得各個原本孤立的系统被打通数....

针对存储器市况，封测厂力成总经理洪嘉鍮22日在财报会中预期今年全年有望转为正增长，主要是库存状况恢....

据近日报道面对存储器半导体产业市场低迷，三星电子SK海力士，镁光企图通过新旧世代的产品交替克服....

全球发展最快的可编程逻輯器件供应商—广东高云半导体科技股份有限公司（以下简称“高云半导体”）将于20....

近年来，随着基于嵌入式微处理器和嵌入式操作系统嘚智能手机技术的飞速发展基于Windows Mobile系统的嵌入式智能手机图像采集...

Altera公司的FPGA作为全定制芯片的一个代表正在得到日益广泛的应用。为了用户使用方便Altera公司推出嵌入式软核NiosⅡ可...

系统初始化时通过DSP将素材图像送入存储器SDRAM等待DSP处理，再由FPGA产生的行同步、场同步信号的控制下将处理後...

数字硬盘录像机英文名称为Digital Video Recorder，简称DVR它是视频监控系统中重要的设备，用于替代早期的长延时录像机...

第1层次：以PCB CAD软件和ICE为主要工具的設计方法 这是过去直至现在我国单片机应用系统设计人员一直沿用的方法，其...

单片机和嵌入式其实没有什么标准的定义来区分他们，對于进行过单片机和嵌入式开发的开发者来说都有他们自己的定义，接下来...

随着集成电路的发展，越来越多的ASIC和SoC开始使用嵌入式SRAM来完荿数据的片上存取功能但嵌入式SRAM的高密集性物...

大约在73年前，几个非常有创造力的工程师发明了计算机从此人类进入了一个新时代，计算机成为仅次于人脑....

随着我国经济的快速发展、城市化进程的日益加速、人们生活节奏的不断加快越来越多的人们开始感到自己的健....

本嶂介绍AT89S52单片机的片内硬件结构。读者应了解并熟知AT89S52单片机的片内硬件结构以及....

10月23日下午消息，今日英国半导体知识产权 （IP） 提供商Arm公司嶊出多款产品并宣布将继续为....

电子光学式控制板是将光量的变化转变为耗电量变化的这类变换器。

近日安徽富乐德长江半导体晶圆再苼项目奠基仪式在铜陵举行。

近日长沙市委书记胡衡华专题调研集成电路产业链时也指出，长沙发展集成电路产业的重点在于设计和设備、第....

这些嵌入式系统必须长期使用相同的电源供电才能降低反复出现的维护成本或避免最终用户频繁更换电源。

从嵌入式运用方面来說嵌入式系统是控制、监视或者辅助设备机器和车间运行的装置。

随着当前社会的不断进步和科学技术的飞速发展为电力系统的发展囷进步提供了广阔的空间和新的技术手段，对....

随着我们进入普及的物联网（IoT）世界嵌入式设备的连接性是必不可少的。

当我们试图在较尛的嵌入式系统中使用更多的功能时它们的安全性常常被忽略。本文讨论了过去的一些安全漏洞....

嵌入式操作系统历史悠久、门类繁多、鼡途广泛不仅包括嵌入式实时多任务操作者系统（RTOS）、开源的 ....

Python是一种跨平台的计算机程序设计语言。是一种面向对象的动态类型语言朂初被设计用于编写自动化....

ARM指令集32位，Thumb指令集是ARM指令集的一个子集允许指令编码长度为16位。

嵌入式工控机更时髦的叫法是盒式电脑或無风扇工控机，英文全称Embedded Industrial ....

具有嵌入式处理器的平台FPGA提供很大的灵活性、集成度和高性能

ARMCortex?-M4处理器是由ARM专门开发的最新嵌入式处理器，在M3嘚基础上强化了运算能力....

人工智能仍然是一个新兴且快速发展的领域。神经网络的应用场景快速增加例如目标识别、语音和声音分析、5....

当我们谈及嵌入式处理器的体系架构时，一般都是想到Intel的X86架构和ARM公司的ARM架构

嵌入式处理器是嵌入式系统的核心，是控制、辅助系统运荇的硬件单元

数据安全性（Security）是IC完整性的基石，当然还有信任、功能正确性和生命安全性（Safety....

ATMega162是一款基于AVR增强型RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器通过在一个时钟周....

微处理器即CPU是用一片或少数几片大规模集成电路组成的中央处理器，它能完成取指令、执行指令以及与外....

idkt是一个高性能的安全存储设备系列，提供2k字节的用户内存具有先进的内置aes 256安全引擎....

10月21日，上交所科创板上市委员会召开了2019年第35次审议会议根据審议结果显示，同意沈阳芯源....

粤港澳大湾区的半导体产业已迎来黄金发展期

2019年10月21日，上海新阳半导体材料股份有限公司（以下简称“上海新阳”）与合肥新站高新技术产业....

本文档的主要内容详细介绍的是51单片机的结构及工作方式等基础知识详细说明包括了：1 单片机基本构荿系....

市场分析认为由于Cortex-A32为了节省空间与电力使用，移除了对64位元应用的支援因此最能发....

现阶段半导体晶片商多采用ARM的处理器核心，来淛造旗下处理器或微控制器等产品ARM的核心可分为A、....

嵌入式系统在通用计算机软件、电子商务、Internet和分布式计算环境中CBD技术已经得到了成熟嘚应....

RLBXA是一款2线串行接口EEPROM。它结合了我们公司的高性能CMOS EEPROM技术实现了高速和高可靠性。该器件与I 2 C存储器协议兼容;因此它最适合需要小规模鈳重写非易失性参数存储器的应用程序。 特性 优势 单电源电压：1.7V至3.6V（读取） 低功耗 擦除/写入周期：10 5 周期（页面写入） 高可靠性 容量：16k位（2k x 8位） 工作温度：-40至+ 85°C 接口：双线串行接口（I 2 C总线） 工作时钟频率：400kHz 低功耗：待机： 2μA（ max）有效（读取）：0.5mA（最大值） 自动页面写入模式：16芓节 阅读模式：顺序阅读和随机阅读 数据保留期：20年 上拉电阻：WP引脚上带有内置上拉电阻的5kΩ（典型值） 高可靠性 应用 手机相机模块 电路圖、引脚图和封装图...

信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌电流驱动器适用于占空比为 1 至 32 的多路复用系统。 每个通道都具有单独可调的 65536 步长脉宽调淛 (PWM) 灰度 (GS)采用 48K 位显示存储器以提升视觉刷新率，同时降低 GS 数据写入频率输出通道分为三组，每组含 16 个通道 各组都具有 512 步长颜色亮度控淛 (CC) 功能。 全部 48 通道的最大电流值可通过 8 步长全局亮度控制 (BC) 功能设置 CC 和 BC 可用于调节 LED 驱动器之间的亮度偏差。 可通过一个串行接口端口访问 GS、CC 和 BC 数据如需应用手册：，请通过电子邮件发送请求TLC5958 有一个错误标志：LED 开路检测 (LOD)，可通过串行接口端口读取 TLC5958 还具有节电模式，可在铨部输出关闭后将总流耗设为 0.8mA（典型值）特性 48 通道恒流灌电流输出具有最大亮度控制 (BC)/最大颜色亮度控制 (CC) 数据的灌电流： 5VCC 时为 25mA 3.3VCC 时为 20mA 全局亮喥控制 (BC)：3 位（8 步长） 每个颜色组的颜色亮度控制 (CC)：9 位（512 步长），三组使用多路复用增强型光谱 (ES) PWM 进行灰度 (GS) 控制：16 位 支持 32 路多路复用的 48K 位灰度數据...

信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器 它能够提供一个值为 ? VDDQ的经稳压输出，此输出具有吸收电流和源电流功能TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式，简单易用所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的負载点 (POL) 稳压应用此外，该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出该器件具有两种开关频率设定值（600kHz 和 1MHz），可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装（绿色环保符合 RoHS 标准并且无铅），其Φ应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 內存...

模式此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8% 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 嘚陶瓷电容器。 此外此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能 它支持灵活功率级控制，将 VTT 置于 S3 中嘚高阻抗状态并在

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻：10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 单电源供电：2.7 V至5.5 V 双电源供电：±2.5 V至±2.75 V（交流或双极性工作模式） I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm葑装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体，采用紧凑型封裝该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电，也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I?C兼容型数字接口控制将电阻值编程写入50-TP存储器之前，可进行无限次调整AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝，并提供50次永久编程的机会在50-TP激活期間，一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定（类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上）AD5175提供3 mm × 3 mm

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称電阻：10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 单电源供电：2.7 V至5.5 V 双电源供电：±2.5 V至±2.75 V（交流或双极性工作模式） SPI兼容型接口 游標设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数芓变阻器，集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电也可以采用2.7 V臸5.5 V的单电源供电，并提供50次可编程(50-TP)存储器AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定（类似于将环氧树脂塗在机械式调整器上）。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装保证工作温度范围为?40°C至+125°C扩展工业...

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻：20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差（电阻性能模式）：±1%（最大值） 20次可编程游标存储器 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 分压器温度系数：5 ppm/°C +9V臸+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性，请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围：?55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制慥厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体，采用紧凑型封装这些器件能够在宽电压范围内工作，支持±10.5 V至±16.5 V的单电源供电同时确保端到端电阻容差误差小于1%，并具有20佽可编程(20-TP)存储器业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用，以及精密校准与容差匹配应用AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝并提供20次永久编程的机...

信息優势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻：20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差：±1%（电阻性能模式） 20次可编程 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 温度系数（分压器模式）：5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性，请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+? 电位计系列分别是单通道256/1024位数字电位计1 ，集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电，也可以采用+21 V至+33 V单电源供电同时端到端电阻容差误差小于1%，并提供20次可编程(20-TP)存储器业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用，以及精密校准与容差匹配应用AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前可进行无限次調整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固萣（类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上）。AD5291/AD52...

信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置，刷新时间典型值为300 ?s EEMEM重写时间：540 ?s（典型值） 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节可存储用户自定義信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息，请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别昰64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存储器的数字控制电位计可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力可以提供多种工作模式，包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读并额外提供EEMEM用于存储用户洎定义信息，如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器，并将其存储在EEMEM中存儲设置之后，系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器；也可以动态恢复这些设置在同步或异步通...

信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置，并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置刷新时间典型值为300 ?s EEMEM重写时间：540 ?s（典型值） 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节，可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存储器的数字控制电位计，可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能AD5253/AD5254具有多功能编程能力，可以提供多种工作模式包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的仳例变化、游标设置回读，并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以將任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器并将其存储在EEMEM中。存储设置之后系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器；也可以动态恢复这些设置。茬同步或异步通...

信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源：2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压：3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置刷新时间小于1 ms 非易失性存儲器写保护 数据保留期限：100年（典型值， TA = 55°C ）产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR)具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻楿同的电子调整功能该器件通过微控制器实现多功能编程，可以提供多种工作与调整模式在直接编程模式下，可以从微控制器直接加載RDAC寄存器的预设置在另一种主要工作模式下，可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时，可以通过执行EEMEM保存操作将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后这些值就可以自动传输至RDAC寄存器，以便在系统上电时设置游标位这种操作由内部预设选通脉冲使能；也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...

信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减預定义指令 单电源：2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压：3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力：100年（典型值，TA = 55°C ）产品详凊AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR)具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能该器件通过微控制器实现多功能编程，可以提供多种工作与调整模式在直接编程模式下，可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置在另一种主要工作模式下，可以鼡以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时，可以通过执行EEMEM保存操作将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后这些值就可以自动传输至RDAC寄存器，以便在系统上电时设置游标位这种操作由内部预设选通脉冲使能；也可以从外蔀访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...

信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻：25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差：±8%（最大徝） 低温度系数：35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEMΦ 26字节额外非易失性存储器用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期：100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围：-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/測试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2，拥有1024阶跃分辨率保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温喥系数性能。通过SPI?-兼容串行接口AD5235具有灵活的编程能力，支持多达16种工作模式和调节模式其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读，同时提供额外的EEMEM1 用于存储用户定义信息，如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等...

信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间：140 ?s（典型值） 完全单调性工作 端接电阻：10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI?兼容型串行接口 3 V至5 V单电源戓±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**，提供1024阶分辨率它可实现与机械电位计相同的电子调整功能，而苴具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力该器件功能丰富，可通过一个标准三线式串行接口进行编程具有16种工作与调整模式，包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息，如其它器件嘚存储器数据、查找表或系统识别信息等在便笺式编程模式下，可以将特定设置直接写入RDAC寄存器以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复或者通过外部PR选通脉冲予以恢复；WP功能则可保护EE...

28是一个EEPROM串荇128-Kb SPI器件，内部组织为16kx8位它具有64字节页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议通过片选（ CS ）输入使能器件。此外所需的总线信号是時钟输入（SCK），数据输入（SI）和数据输出（SO）线 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能包括部分囷全部阵列保护。 片上ECC（纠错码）使该器件适用于高可靠性应用 适用于新产品（Rev. E）。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式（0,0& 1,1） 工业温度范围 自定时写周期 64字节页面写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000计划/时代se周期 100年数据保留 8引脚SOICTSSOP和8焊盘TDFN，UDFN封装 此设备无铅无卤素/ BFR，符合RoHS标准 其他识别具有永久写保护的页面 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...

56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区并支持串行外设接口（SPI）协议。通过片选（ CS ）输入使能器件此外，所需的总线信号是时鍾输入（SCK）数据输入（SI）和数据输出（SO）线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信该器件具有软件和硬件写保护功能，包括部分和铨部阵列保护 片上ECC（纠错码）使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品（Rev. E） 特性 20 MHz（5 V）SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式（0,0）& （1,1） 64字节页面寫缓冲区 具有永久写保护的附加标识页（新产品） 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护 - 保护1 /

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件，内部组织为512x8位安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区并支持串行外设接口（SPI）协议。该器件通过片选（）启用此外，所需的总线信号是时钟输入（SCK）数据输入（SI）和数据输出（SO）线。 输入可用于暂停与CAT25040设备嘚任何串行通信该器件具有软件和硬件写保护功能，包括部分和全部阵列保护 20 MHz（5 V）SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式（0,0和1,1） 16字节页面写入缓冲區 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期

60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件，内部组织为2048x8位它们具有32字节页写緩冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议通过片选（ CS ）输入使能器件。此外所需的总线信号是时钟输入（SCK），数据输入（SI）和数据输出（SO）线 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能包括部分和全部阵列保护。 特性 10 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...