MOS的压降是指MOSFET饱和导通的时候VDS=I*Ron的電压。一般是指静态的压降知道导通阻抗和通过的电流的话用上面的公式就可以计算出来压降是多少了,一般在相同电流下额定电流夶的mosfET压降小。不要忘了前提条件
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饱和时占用的电压2N60的压降大
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可以代替上述管子皆为N沟道MOS管,10N60和4N60的耐压值皆为600V区别就是管子的最大漏极电流Id不同。前者为10A后者为4A。
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